IR 新一代 Gen 7 F 器件采用擊穿溝道式技術,能夠為特定的工作頻率提供更高功率密度,以及經過優(yōu)化的傳導和開關損耗。全新 IGBT 的 VCE(ON) 非常低,能通過零溫度系數提升效率,使整個工作范圍都能保持高效率。該器件還能實現順暢開關,以減少電磁干擾與過沖,并且能在電機驅動應用中實現額定短路。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:&ldquoIR 全新的 600V Gen 7 F 溝道 IGBT 具有非常低的開關和傳導損耗,為在 10kHz 以下工作的電機驅動應用進行了優(yōu)化,從而實現最佳效率。&rdquo