IR 新一代 Gen 7 F 器件采用擊穿溝道式技術(shù),能夠?yàn)樘囟ǖ墓ぷ黝l率提供更高功率密度,以及經(jīng)過優(yōu)化的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。全新 IGBT 的 VCE(ON) 非常低,能通過零溫度系數(shù)提升效率,使整個工作范圍都能保持高效率。該器件還能實(shí)現(xiàn)順暢開關(guān),以減少電磁干擾與過沖,并且能在電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)額定短路。
IR 亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:&ldquoIR 全新的 600V Gen 7 F 溝道 IGBT 具有非常低的開關(guān)和傳導(dǎo)損耗,為在 10kHz 以下工作的電機(jī)驅(qū)動應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,從而實(shí)現(xiàn)最佳效率。&rdquo